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存儲芯片短缺拖累高通業(yè)績指引,AI算力需求強勁帶動存儲緊缺

每日經(jīng)濟新聞 2026-02-05 13:24:07

截至2026年2月5日 13點11分,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌2.13%。成分股方面,華峰測控領(lǐng)跌6.60%,拓荊科技下跌4.36%,華海誠科下跌4.30%,興福電子下跌3.86%,有研硅下跌3.80%??苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)下跌2.06%,最新報價1.72元。

截至2026年2月5日 13點14分,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌2.15%。成分股方面漲跌互現(xiàn),天岳先進領(lǐng)漲2.88%,珂瑪科技上漲2.79%,金海通上漲1.34%;華峰測控領(lǐng)跌6.54%,拓荊科技下跌5.02%,立昂微下跌4.82%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)下跌2.17%,最新報價1.85元。

流動性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手6.87%,成交5.34億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.89%,成交1.04億元。規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近2周規(guī)模增長1.60億元,實現(xiàn)顯著增長,新增規(guī)模領(lǐng)先同類;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達27.25億元。

資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流出5938.88萬元。拉長時間看,近5個交易日內(nèi)有3日資金凈流入,合計“吸金”2.02億元,日均凈流入達4039.18萬元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出2074.60萬元。拉長時間看,近23個交易日內(nèi)有18日資金凈流入,合計“吸金”18.58億元,日均凈流入達8077.43萬元。

消息面上,美國半導(dǎo)體巨頭高通公布了超預(yù)期的2026 財年第一財季業(yè)績,但受全球存儲供應(yīng)短缺拖累,該公司業(yè)績展望不及市場預(yù)期。高通預(yù)計第二財季營收在102億至110億美元之間;調(diào)整后每股收益在2.45美元至2.65美元之間。而接受LSEG調(diào)查的分析師預(yù)計,高通第二財季營收為111.1億美元,每股收益為2.89美元。高通高管在接受采訪時表示,業(yè)績指引不及預(yù)期的直接原因是全球存儲芯片短缺。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心存儲需求旺盛,大量訂單擠占了智能手機等消費電子設(shè)備所需內(nèi)存的產(chǎn)能。

東方證券指出,AI算力等相關(guān)需求在存儲需求中逐步占據(jù)主導(dǎo)地位,帶動存儲緊缺持續(xù)。DRAM方面,在服務(wù)器DRAM上北美及國內(nèi)各大云端服務(wù)業(yè)者(CSP)和OEM持續(xù)和存儲器原廠洽談年度DRAMLTA (long-term agreement)供應(yīng)量。由于買方積極競逐原廠供給,將帶動第一季Server DRAM價格上漲約90%,幅度創(chuàng)歷年之最。NAND方面,隨著推理AI應(yīng)用場景擴大,市場對高效能儲存設(shè)備的需求遠高于預(yù)期,北美各大CSP自2025年底起開始強力拉貨,刺激Enterprise SSD訂單爆發(fā)。在供給缺口持續(xù)擴大的情況下,買方激進囤貨以盡早補足庫存,推升2026年第一季Enterprise SSD價格將季增53-58%,創(chuàng)下單季漲幅最高紀錄。

相關(guān)ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(63%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。

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截至2026年2月5日 13點11分,上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌2.13%。成分股方面,華峰測控領(lǐng)跌6.60%,拓荊科技下跌4.36%,華海誠科下跌4.30%,興福電子下跌3.86%,有研硅下跌3.80%??苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)下跌2.06%,最新報價1.72元。 截至2026年2月5日 13點14分,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌2.15%。成分股方面漲跌互現(xiàn),天岳先進領(lǐng)漲2.88%,珂瑪科技上漲2.79%,金海通上漲1.34%;華峰測控領(lǐng)跌6.54%,拓荊科技下跌5.02%,立昂微下跌4.82%。半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)下跌2.17%,最新報價1.85元。 流動性方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF盤中換手6.87%,成交5.34億元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.89%,成交1.04億元。規(guī)模方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF近2周規(guī)模增長1.60億元,實現(xiàn)顯著增長,新增規(guī)模領(lǐng)先同類;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達27.25億元。 資金流入方面,科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF最新資金凈流出5938.88萬元。拉長時間看,近5個交易日內(nèi)有3日資金凈流入,合計“吸金”2.02億元,日均凈流入達4039.18萬元;半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出2074.60萬元。拉長時間看,近23個交易日內(nèi)有18日資金凈流入,合計“吸金”18.58億元,日均凈流入達8077.43萬元。 消息面上,美國半導(dǎo)體巨頭高通公布了超預(yù)期的2026 財年第一財季業(yè)績,但受全球存儲供應(yīng)短缺拖累,該公司業(yè)績展望不及市場預(yù)期。高通預(yù)計第二財季營收在102億至110億美元之間;調(diào)整后每股收益在2.45美元至2.65美元之間。而接受LSEG調(diào)查的分析師預(yù)計,高通第二財季營收為111.1億美元,每股收益為2.89美元。高通高管在接受采訪時表示,業(yè)績指引不及預(yù)期的直接原因是全球存儲芯片短缺。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心存儲需求旺盛,大量訂單擠占了智能手機等消費電子設(shè)備所需內(nèi)存的產(chǎn)能。 東方證券指出,AI算力等相關(guān)需求在存儲需求中逐步占據(jù)主導(dǎo)地位,帶動存儲緊缺持續(xù)。DRAM方面,在服務(wù)器DRAM上北美及國內(nèi)各大云端服務(wù)業(yè)者(CSP)和OEM持續(xù)和存儲器原廠洽談年度DRAMLTA (long-term agreement)供應(yīng)量。由于買方積極競逐原廠供給,將帶動第一季Server DRAM價格上漲約90%,幅度創(chuàng)歷年之最。NAND方面,隨著推理AI應(yīng)用場景擴大,市場對高效能儲存設(shè)備的需求遠高于預(yù)期,北美各大CSP自2025年底起開始強力拉貨,刺激Enterprise SSD訂單爆發(fā)。在供給缺口持續(xù)擴大的情況下,買方激進囤貨以盡早補足庫存,推升2026年第一季Enterprise SSD價格將季增53-58%,創(chuàng)下單季漲幅最高紀錄。 相關(guān)ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備(60%)和半導(dǎo)體材料(25%)細分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域,具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求,擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進展。 半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357),指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備(63%)、半導(dǎo)體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導(dǎo)體上游。

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