每經(jīng)編輯｜肖芮冬    

盤面上，兩市午后震蕩下跌，芯片設(shè)計(jì)概念下跌。相關(guān)ETF方面，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF天弘（589070）標(biāo)的指數(shù)收盤跌3.17%，成交額達(dá)4291.66萬(wàn)元；換手率達(dá)6.98%。成分股中，佰維存儲(chǔ)、思瑞浦、普冉股份、盛科通信-U、燦芯股份跌超5%，芯原股份、翱捷科技-U、芯?？萍嫉榷喙筛?/p>

科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF天弘（589070）最近20個(gè)交易日累計(jì)獲資金凈流入1.40億元同標(biāo)的第一。截至2026年3月30日，該基金最新規(guī)模為6.25億元，年初至今規(guī)模增長(zhǎng)達(dá)6.25億元，為同類基金第一。

科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF天弘（589070）通過(guò)聚焦科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，實(shí)現(xiàn)了三大細(xì)分賽道的全覆蓋，既能夠捕捉單一賽道的爆發(fā)式增長(zhǎng)，又能通過(guò)賽道分散降低個(gè)股風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)處于復(fù)蘇周期，疊加政策與需求雙重利好，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF天弘（589070）的配置價(jià)值進(jìn)一步凸顯。

近三年數(shù)據(jù)顯示，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)指數(shù)PE-TTM為171.03倍，當(dāng)前估值處于歷史0.25%分位，低于近三年99.75%的時(shí)間。從估值水平來(lái)看，指數(shù)已處于歷史極低區(qū)間。

消息面上，①據(jù)興業(yè)證券，SEMICON China 2026國(guó)際半導(dǎo)體展在上海舉辦，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)萬(wàn)億美金時(shí)代或提前至2026年底到來(lái)；②據(jù)招商證券，CFMS 2026閃存大會(huì)顯示AI服務(wù)器出貨占比將突破20%，存儲(chǔ)短缺或延續(xù)至2027年；③據(jù)國(guó)金證券，三星、SK海力士二季度DDR5顆粒漲價(jià)約40%，部分產(chǎn)品漲幅達(dá)100%；④據(jù)國(guó)盛證券，北方華創(chuàng)、中微公司等國(guó)產(chǎn)設(shè)備商密集發(fā)布新品；⑤據(jù)集微網(wǎng)，天數(shù)智芯、思瑞浦等科創(chuàng)板半導(dǎo)體企業(yè)2025年業(yè)績(jī)大幅改善；⑥據(jù)網(wǎng)易新聞，北京大學(xué)成功研發(fā)全球首款高性能二維半導(dǎo)體晶圓。

愛建證券認(rèn)為，2026年科創(chuàng)芯片將迎來(lái)技術(shù)升級(jí)與國(guó)產(chǎn)替代的雙重機(jī)遇，存儲(chǔ)行業(yè)資本開支全面恢復(fù)，HBM與3D NAND向高堆疊升級(jí)，驅(qū)動(dòng)刻蝕、沉積等核心設(shè)備需求爆發(fā)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)IPO及長(zhǎng)江存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)將成為關(guān)鍵催化。