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新型NAND閃存抗輻射能力達(dá)傳統(tǒng)閃存30倍

2026-05-22 07:01:10

每經(jīng)AI快訊,5月22日,據(jù)科技日?qǐng)?bào),美國(guó)佐治亞理工學(xué)院科學(xué)家研制出一款新型NAND閃存。它既能高效處理人工智能(AI)任務(wù),又能承受太空中的極端輻射,其抗輻射能力達(dá)到傳統(tǒng)NAND閃存的30倍。相關(guān)研究論文已發(fā)表于最新一期《納米快報(bào)》雜志。新型NAND閃存利用了與硅工藝兼容的氧化鉿材料的鐵電性,即材料在一定溫度范圍內(nèi)會(huì)自發(fā)產(chǎn)生極化,且極化方向可在外部電場(chǎng)作用下翻轉(zhuǎn)。這一特性使鐵電材料在信息存儲(chǔ)、傳感、人工智能及新一代低功耗芯片等領(lǐng)域頗具應(yīng)用潛力。測(cè)試結(jié)果顯示,這款鐵電閃存可承受高達(dá)100萬(wàn)拉德(輻射吸收劑量)的輻射,相當(dāng)于1億次X射線照射,輻射耐受性是傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的30倍。

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